TSM650P03CX RFG的供应商，TSM650P03CX RFG规格参数，TSM650P03CX RFG的PDF资料

TSM650P03CX RFG /MOSFET 30V P channel Power Mosfet

TSM650P03CX RFG的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:4.1 A

Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:8 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.56 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Taiwan Semiconductor

下降时间:12.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:19.4 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45.9 ns

典型接通延迟时间:5.4 ns

单位重量:8 mg

TSM650P03CX RFG

TSM650P03CX RFG的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市坤融电子有限公司	TSM650P03CX RFG	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市成源运利电子科技有限公司	TSM650P03CX RFG	深圳市福田区华强路东方时代广场A2705	159-13992480 15913992480	林先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	TSM650P03CX RFG	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	TSM650P03CX RFG	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市芯幂科技有限公司	TSM650P03CX RFG	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	TSM650P03CX RFG	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市博浩通科技有限公司	TSM650P03CX RFG	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	TSM650P03CX RFG	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	TSM650P03CX RFG	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	TSM650P03CX RFG	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
集好芯城	TSM650P03CX RFG	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	TSM650P03CX RFG	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价

TSM650P03CX RFG及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
TSM650P03CX RFG	MOSFET 30V P channel Power Mosfet	Taiwan Semiconductor	533.10 Kbytes	共5页	无
TSM650P03CX RFG	MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23	Taiwan Semiconductor Corporation	422.10 Kbytes	共5页	无
TSM650P03CX RFG	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W(Tc) 类型：P沟道	Taiwan Semiconductor(台湾半导体)	422.10 Kbytes	共5页	无

TSM650P03CX RFG的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	TSM650P03CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23	$0.61000
Mouser 贸泽电子	TSM650P03CX RFG	Taiwan Semiconductor	MOSFET 30V P channel Power Mosfet	1:¥4.3053 10:¥2.9945 100:¥1.9662 500:¥1.1639 3,000:¥0.78422 9,000:查看
立创商城	TSM650P03CX RFG	Taiwan Semiconductor(台湾半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W(Tc) 类型：P沟道	5+:￥0.690436 50+:￥0.505028 150+:￥0.470974 500+:￥0.43692 2500+:￥0.421784 5000+:￥0.414306

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